何苗 1,2周易 1,2,3,*应翔霄 2梁钊铭 2[ ... ]陈建新 2,3
作者单位
摘要
1 上海理工大学,上海 200433
2 中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083
3 国科大杭州高等研究院 物理与光电工程学院,浙江 杭州 310024
II类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种材料表征技术,研究了不同能量的Si离子注入以及退火前后对InAs/GaSb II类超晶格材料性能的影响。研究通过Si离子注入,外延材料由P型变为N型,超晶格材料中产生了垂直方向的拉伸应变,晶格常数变大,且失配度随着注入能量的增大而增大,注入前失配度为-0.012%,当注入能量到200 keV时,失配度达到0.072%,超晶格部分弛豫,弛豫程度为14%,而在300 °C 60 s退火后,超晶格恢复完全应变状态,且晶格常数变小,这种张应变是退火引起的Ga-In相互扩散以及Si替位导致的晶格收缩而造成的。
InAs/GaSb II类超晶格 离子注入 平面结 退火 HRXRD InAs/GaSb Type II superlattice ion implantation planar junction annealing HRXRD 
红外与毫米波学报
2024, 43(1): 15
作者单位
摘要
1 中国科学院微电子研究所,北京 100029
2 中国科学院大学,北京 100049
3 中国科学院空天信息创新研究院,北京 100094
石墨烯作为一种新型半金属材料,具有良好的导电性、光学透明度和机械性能,自发现以来备受研究者关注。特别是石墨烯的零带隙狄拉克色散关系赋予其特殊的光电性质,如宽带光吸收和高载流子迁移率,使得石墨烯基光电探测器具有宽广谱检测和快速响应能力。然而,传统的石墨烯制备方法包括机械剥离法、化学气相沉积法和氧化还原法等存在产量低、设备昂贵、工艺复杂和化学污染等问题。除此之外,单层石墨烯光吸收率和载流子寿命短,严重影响了石墨烯光电探测器的响应度。为了解决上述问题,文中采用一步激光刻蚀法在三聚氰胺-聚酰亚胺复合薄膜上原位诱导生成氮掺杂的多孔石墨烯,制备了光响应增强的石墨烯宽光谱探测器。这种激光直写的制备工艺效率高、成本低、无污染,可快速制备石墨烯光电探测器。经测试,该探测器在630 nm可见光辐照下的光响应度为2.17 mA·W−1,相比未掺杂的激光诱导石墨烯光电探测器的响应度提高了一个数量级。此外,该探测器在343 nm紫外和1 550 nm红外波段都具有光响应能力,响应度分别为3.06、2.63 mA·W−1。该方法为简单、高效、低成本制备高性能石墨烯基光电器件提供了可行性方案。
激光诱导石墨烯 光电探测器 氮掺杂 宽光谱探测 laser induced graphene photodetector nitrogen doping wide spectral detection 
红外与激光工程
2023, 52(11): 20230140
作者单位
摘要
西藏大学太阳紫外线实验室, 西藏 拉萨 850000
利用国际标准RAMSES光谱仪和CMP11型太阳总辐射仪, 在2019年至2020年期间对中国北纬30°区域8个城市(西藏阿里、 日喀则、 拉萨、 林芝、 成都、 武汉、 杭州、 上海)进行了地面太阳辐射的观测研究。 观测结果表明在中国北纬30°区域, 西藏总体太阳光谱不仅强度上远远高于低海拔的内地城市, 而且光谱曲线在形态特征上比低海拔更光滑, 吸收弱。 观测期间西藏最大地面单色太阳光谱强度可达2 018.48 mW·(m2·nm)-1(阿里, 2020年6月21日), 同纬度其他内地城市最大地面单色太阳光谱强度仅为756.22 mW·(m2·nm)-1(成都, 2019年11月03日); 西藏地面太阳光谱中所含紫外光谱(280~400 nm)比内地低海拔高出约1.5倍以上, 强烈的紫外线对西藏生态和人体健康产生相应影响; 观测期间发现拉萨地面太阳光谱强度约为成都的1.5~1.7倍; 阿里地面太阳光谱强度比上海高出约0.2倍。 观测结果为北纬30°区域太阳能资源的利用和生态环境等研究提供实地太阳光谱数据; 对2020年夏至发生的日食现象进行了太阳光谱的同步观测研究, 发现日食期间拉萨、 阿里辐射能量损失均超过95%。 分析了云、 气溶胶等大气因子对太阳光谱、 太阳总辐射的影响。 研究表明西藏阿里等地夏季太阳总辐射值频频超过太阳常数。
西藏 北纬30°N 太阳光谱 观测 日食 Tibet 30°N latitude Solar spectra Observation Solar eclipse 
光谱学与光谱分析
2023, 43(6): 1881
作者单位
摘要
1 国科大杭州高等研究院 物理与光电工程学院,浙江 杭州 310024
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
本文对基于带间级联结构和谐振腔结构的中红外发光二极管进行了仿真和设计。在传统带间级联发光二极管的基础上,从器件外部引入分布布拉格反射镜(DBR)谐振腔结构,形成谐振腔带间级联发光二极管。对谐振腔参数进行仿真优化,包括DBR周期数、谐振腔的腔长、有源区在谐振腔中的位置等。结果表明,使用单周期ZnS/Ge DBR作为谐振腔上反射镜的器件输出功率最大,有源区置于谐振腔内部电场强度波峰处时,器件的输出功率最大,三级谐振腔带间级联LED器件的输出功率与55级无谐振腔器件输出功率相当,其光束发散角的半峰全宽可以从92度减小到52度。结合已生长的5级带间级联LED器件的测试结果,增加谐振腔结构后的仿真结果表明,峰值波长的辐射强度增强11.7倍,积分辐射强度增强5.43倍,光谱的半峰宽变窄6.45倍。
发光二极管 谐振腔 带间级联 辐射增强 light emitting diode resonant cavity interband cascade radiation enhancement 
红外与毫米波学报
2023, 42(6): 724
白雪莉 1,2柴旭良 1,3周易 1,3,*朱艺红 1[ ... ]陈建新 1,2,3,**
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
2 上海科技大学 信息科学与技术学院,上海 201210
3 国科大杭州高等研究院 物理与光电工程学院,浙江 杭州 310024
带间级联红外探测器可以利用多级吸收区级联的方式实现高的工作温度,但不同的吸收区厚度设计方式会使得器件在不同级数吸收区中出现光生载流子的不匹配现象,从而对器件量子效率造成影响。为更好地理解带间级联探测器的级数和吸收区厚度对量子效率的影响,对基于InAs/GaSb II类超晶格的带间级联探测器进行了变温测试,并基于多级光电流的“平均效应”建立了工作在反向偏置电压的量子效率计算模型,通过与实际测试的量子效率对比,发现在低温条件下实验数据和计算结果拟合一致性较好,验证了多级带间级联探测器中基于内增益机制的光电流平均效应。但在高温条件下,实际的光电流低于“平均效应”的理论计算结果,这可能是由于高温下少数载流子寿命变短,在吸收区和弛豫区界面处存在光生载流子的复合机制。
InAs/GaSb II类超晶格 带间级联探测器 电子增益 量子效率 type-II InAs/GaSb superlattice interband cascade infrared photodetector electrical gain quantum efficiency 
红外与毫米波学报
2023, 42(6): 716
光电工程
2023, 50(5): 230010
崔玉容 1,2周易 1,2,3,*黄敏 1王芳芳 1[ ... ]何力 1
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
2 中国科学院大学,北京 100049
3 中国科学院大学杭州高等研究院,浙江 杭州 310024
本文开展了InAs / GaSb II类超晶格长波红外探测器的表面处理研究。通过对不同处理工艺形成台面器件的暗电流分析,发现N2O等离子处理结合快速热退火(RTA)的优化工艺能够显著改善长波器件电学性能。对于50%截止波长12.3μm的长波器件,在液氮温度,-0.05V偏置下,表面处理后暗电流密度从5.88 ×10-1 A/cm2降低至4.09 ×10-2 A/cm2,零偏下表面电阻率从17.7 Ωcm提高至284.4 Ωcm,有效降低侧壁漏电流。但是该表面处理后的器件在大反偏压下仍有较大的侧壁漏电,这可能是由于高浓度的表面电荷使得大反偏下侧壁存在较高的隧穿电流。通过栅控结构器件的变栅压实验,验证了长波器件存在纯并联电阻及表面隧穿两种主要漏电机制。最后,对表面处理前后的暗电流进行拟合,处理后器件表面电荷浓度为3.72×1011 cm-2
二类超晶格 长波红外探测器 表面处理 暗电流分析 栅控结构 Type-II superlattice long wavelength photodetectors surface treatment dark current analysis gate-control structure 
红外与毫米波学报
2023, 42(1): 8
作者单位
摘要
1 重庆邮电大学 光电学院, 重庆 400065
2 模拟集成电路国家级重点实验室, 重庆 400060
3 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
提出了一种基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺的高速、高精度折叠插值A/D转换器。采用基于SEF开关的新型采样/保持电路, 固定保持阶段电压, 实现了高速、高精度、高线性度的信号采样。采用带有射极跟随器的折叠放大器, 构成平均折叠和环形插值的四级级联结构, 减少了比较器数目, 降低了建立时间和整体功耗。采用新型两级比较器, 将模拟与数字信号进行隔离, 优化了回踢噪声。使用小尺寸晶体管, 减小了再生时间。在3.3/5 V电源和013 μm SiGe BiCMOS工艺下, 该折叠插值A/D转换器实现了1.6 GS/s的采样率, SFDR为71.3 dB, SNDR为63.6 dB, ENOB为10.27 bit。
采样/保持电路 折叠放大器 比较器 折叠和插值ADC 高速 sampling/holding circuit folding amplifier comparator folding and interpolating ADC high speed 
微电子学
2022, 52(2): 301
作者单位
摘要
1 中国核动力研究设计院 核反应堆系统设计技术重点实验室 成都 610213
2 复旦大学 航空航天系力学与工程仿真研究所 上海 200433
UN-U 3Si 2复合燃料在未来先进耐事故燃料元件中具有良好的发展前景,其堆内运行所产生的辐照蠕变及热蠕变对元件的辐照热力耦合行为及安全性会产生重要影响。基于文献中的宏观蠕变实验结果,分别针对UN和U 3Si 2多晶燃料主控的蠕变机制进行分析,通过拟合得到考虑空位扩散和位错运动机制的蠕变率模型,该模型的预测结果与实验结果吻合很好,证明了模型的合理性;基于均匀化理论建立了去除辐照肿胀效应后UN-U 3Si 2复合燃料宏观蠕变与各组分贡献的关联模型。基于文献上的复合燃料金相结构图,发展了随机建模方法,对UN-U 3Si 2复合燃料(20% U 3Si 2)辐照条件下单轴拉伸蠕变实验进行了数值模拟,获得了组分材料对复合燃料宏观等效蠕变所产生的贡献,并分析了蠕变机制。分析结果表明:UN和U 3Si 2存在的辐照肿胀差异,导致复合燃料内部产生了强烈的力学相互作用;在裂变密度达到4.32×1027 fissions·m-3时,颗粒与基体相界面处的最大von Mises应力约为外部施加的均布拉力的6倍,但由于存在低应力区,两种材料的辐照肿胀对复合燃料宏观等效蠕变应变的影响可以忽略不计。
UN-U 3Si 2 蠕变机制 辐照肿胀 均匀化理论 宏观等效蠕变 UN-U 3Si 2 Creep mechanism Irradiation swelling Homogenization theory Macroscopic equivalent creep 
核技术
2022, 45(12): 120601
张坤 1,2马子杰 1,2周毅 1,2,*梁高峰 1,2[ ... ]陈刚 1,2
作者单位
摘要
1 重庆大学光电工程学院,重庆 400044
2 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室,重庆 400044
超表面是一种空间变化的超薄纳米结构,在光学超分辨聚焦透镜或系统中已经得到广泛研究和应用。然而,随着超构透镜聚焦光斑缩小,不可避免产生大旁瓣,限制了透镜视场和应用潜力。本文提出了一种设计大数值孔径(NA=0.944)超分辨弱旁瓣超构透镜的方法。针对波长λ=632.8 nm的圆偏振光,基于硅基超表面PB相位调控,实现了超分辨弱旁瓣点聚焦超构透镜。实验证明,可以实现聚焦光斑半高全宽FWHM=0.45λ,小于衍射极限0.53λ(衍射极限为0.5λ/NA),旁瓣比Sidelobe Ratio (SR)=0.07。该透镜的应用有望实现超分辨光学器件或系统微型化、轻量化和集成化。
超分辨 弱旁瓣 超表面 超构透镜 super-resolution weak sidelobe metasurface metalens 
光电工程
2022, 49(11): 220258

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